导读新时代，高科技越来越发达。朋友们看了很多科技新闻。我们也应该在生活中使用很多这些高科技的东西。朋友要注意什么？今天，我想和大家分享
新时代，高科技越来越发达。朋友们看了很多科技新闻。我们也应该在生活中使用很多这些高科技的东西。朋友要注意什么？今天，我想和大家分享一条关于科技的知识。我希望你会喜欢它。
TSMC在打造2nm半导体节点方面取得重大研究突破，预计2023年年中进入2nm工艺试生产阶段，一年后开始量产。目前，TSMC最新的创造工艺是5nm工艺，已经用于生产A14仿生芯片。
据悉，TSMC的2nm工艺将采用差分晶体管设计。这种设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管，是对以前FinFET设计的补充。值得注意的是，这也是TSMC首次为其晶体管设计MBCFET。一位TSMC高管表示，“我们对2023年下半年风险试产的收益率达到90%持乐观态度，这将有助于我们未来继续赢得苹果、惠达等主要厂商的大订单”。同时，他还提到大规模生产将于2024年开始。
去年，TSMC成立了一个2纳米项目研发团队，追求可行的进展路径。考虑到成本、设备兼容性、技术成熟度和性能，2nm采用了基于GAA工艺的MBCFET。这种结构解决了FinFET工艺收缩导致的电流转向泄漏的物理限制。